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提供晶片的加工方法,对晶片的背面侧进行磨削时能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响,磨削后的处理也简单。该晶片的加工方法包含:环状槽形成步骤,对在正面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的正面侧沿着外周剩余区域的内周形成深度超过晶片的完工厚度的环状的槽;保护膜紧贴步骤,利用保护膜对器件区域和槽进行覆盖,使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧;带保护部件的晶片形成步骤,利用由硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜和露出的外周剩余区域进行包覆,形成带保护部件的晶片;磨削步骤,在对保护部件侧进行了保持的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108962738A
(43)申请公布日
2018.12.07
(21)申请号20181
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