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基于p型Ga2O3的MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-02-03 发布于四川
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基于p型Ga2O3的MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种基于p型Ga2O3的MOSFET器件，主要解决现有氧化镓器件难以制备同质结、异质结器件性能较差、缺乏p型Ga2O3材料的问题。其自下而上包括：源电极S、衬底层，漂移层、p型氧化镓层、二氧化硅层、漏电极D、栅电极G，其中，衬底层采用n型高浓度掺杂β‑Ga2O3材料，约1018cm‑3；漂移层采用n型低浓度掺杂β‑Ga2O3材料，约1016cm‑3；栅电极G下有薄SiO2绝缘介质层；该n型低掺杂β‑Ga2O3漂移层的两端分别设有p型Ga2O3层，空穴浓度约1016—1017cm‑3；

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117497590A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202310938581.2H01L2

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