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本发明公开了一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，包括以下步骤：在碳化硅衬底上涂布电子束光刻胶层，所述电子束光刻胶层采用ZEP520A‑7；降低电子束光刻胶层厚度，使得图形的光刻胶层的厚度于关键尺寸小于3:1；在光刻胶层上蒸镀导电金层；在电子束系统的载台上增加垫片后，将蒸镀有导电金层的碳化硅衬底放在所述垫片上进行电子束曝光；利用碘化钾刻蚀导电金层；利用显影液ZED‑N50进行显影，形成图形。本发明采用ZEP520A‑7做为抗蚀剂即光刻胶层，并且在碘化钾刻蚀黄金，可以过刻，因为光刻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117518742A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311671706.6
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人成都海威华芯科技有限公司
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