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本公开提供了一种逻辑晶体管及存储器，其中，逻辑晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的半导体层；至少一个部分位于半导体层内的第一沟槽，以及至少一个延伸至半导体层中的第二沟槽；栅叠层，位于第一沟槽内；栅叠层包括覆盖第一沟槽的底部和侧壁的栅极介质层以及由栅极介质层包裹的栅极导体；隔离层，位于栅极导体和半导体层之间，隔离层的材料包括具有存储效应的材料；沟道控制电极，位于第二沟槽的内部，并与半导体层接触，以提取沟道局部电学性能作为输出的电极；其中，半导体层位于第一沟槽和第二沟槽之间的部分形成为逻辑晶体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525142A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311387915.8G11C11/40(2006.01)
(22)申请日2023.10.
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