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本实用新型公开了一种高速开关通道结构，包括：开关MOS管、顶层金属层、P阱层、深N阱层及衬底；所述衬底上依次设置有所述深N阱层及所述P阱层，所述顶层金属层设置在所述P阱层远离所述深N阱层的一侧，且所述开关MOS管设置在所述衬底上；本实用新型通过在高速电路的通道金属下方的衬底地上，形成多个PN结，通过反向偏置各个PN结，形成串联PN结电容，实现降低高速通道金属对地寄生电容的效果。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220456415U
(45)授权公告日2024.02.06
(21)申请号202321891790.8
(22)申请日2023.07.18
(73)专利权人江苏帝奥微电子股份有限公司
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