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本实用新型提供了一种半导体原材料提纯烧结装置,涉及半导体原材料提纯技术领域,包括下烧结座、烧结槽和提纯槽;所述下烧结座内上部安装有烧结槽,且烧结槽内套置有提纯槽,所述提纯槽在垂直方向升降活动,且提纯槽的上端设置有上边框,并且上边框上盖置有盖板;所述下烧结座的前侧面上部设置有控制面板,且下烧结座的前后两侧面下部均设置三组通风框,通风框内安装有散热风扇,并且下烧结座的底面左右两端均设置有底板;所述下烧结座的左右两侧面中部均设置有外固定板。本实用新型方便提升提纯槽,以便在烧结完成后可立即离开烧结槽,方
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220454225U
(45)授权公告日2024.02.06
(21)申请号202321959210.4
(22)申请日2023.07.25
(73)专利权人铜陵安德科铭电子材料科技有限
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