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本发明涉及微通道板技术领域，具体提出一种采用硅微通道板基底自约束防氧化变形的方法，所述方法应用于基于光电化学腐蚀制备硅微通道板的工艺中，所述方法包括：在对硅基片进行在光电化学腐蚀工序，形成微孔通道结构，在该工序中，在微孔通道结构的硅基片背面保留一定厚度的实体硅；将微孔通道结构的硅基片进行高温全氧化处理，将微孔通道结构以及背面实体硅的表面均形成氧化硅层；在微孔通道结构中进行蜡填充，形成蜡支撑体；对硅基片背面保留的实体硅进行抛光减薄工艺，去除实体硅，形成通孔结构；最后去除微孔通道结构中填充的蜡支撑体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524830A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311472642.7B81C1/00(2006.01)
(22)申请日2023.11.0
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