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本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本发明将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107871706A
(43)申请公布日
2018.04.03
(21)申请号20171
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