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本发明公开了一种空穴注入/传输层及制备方法和OLED器件及制备方法，其中空穴注入/传输层的制备方法的步骤包括：(1)将碘化铅溶于第一有机溶剂中，经超声处理得到PbI2旋涂液；(2)将PbI2旋涂液旋涂于基底上；(3)于步骤(2)后进行第一退火处理，得到空穴注入/传输层。本发明采用碘化铅旋涂液在基底表面旋涂成膜制得空穴注入/传输层，由于PbI2空穴载流子迁移率高且能级合适，因此空穴注入/传输层可同时作为空穴注入层和空穴传输层，空穴传输层和空穴注入层选用相同的PbI2材料，使得原料价格低廉、制备工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529194A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311682886.8H10K50/15(2023.01)
(22)申请日2023.
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