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本发明公开了一种重稀土缓释层、晶界扩散磁体及其制备方法，属于磁性材料技术领域，解决了现有的晶界扩散工艺中，扩散进入磁体的重稀土大多富集在磁体表层，浓度过高使得部分重稀土进入表层晶粒内部，导致磁体剩磁和磁能积下降，增加了不必要的重稀土消耗，重稀土利用效率较低的问题。重稀土缓释层包括重稀土扩散源和缓释介质；重稀土扩散源为重稀土金属、重稀土金属合金、重稀土氢化物、重稀土氧化物、重稀土氟化物中的一种或多种；重稀土包括Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；缓释介质为挥发性金属。本发明的采用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524622A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311583065.9
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人钢铁研究总院有限公司
地址10
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