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本发明涉及一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法,选用硅质(掺杂P、N型)靶材,以物理沉积的方法(磁控溅射),将与与基片相匹配的靶材上的P或N型硅质分子轰击溅射在常规的太阳能晶硅片表面,根据太阳能电池制作所需的P型或N型多次交叉溅镀,以达到多结的目的。再进行硅片四周刻蚀清除短路,进而进行导电金属栅网印刷收集电流,以达到提高光电转换率的效果。本工艺的特点是:电池直流电流不变,电池开路电压提高,制作每层薄膜完整可进行交叉溅镀达到多结的效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525210A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311732677.X
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人将乐三晶新材料有限公司
地址3
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