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本发明涉及一种利用钯/钯氧化物双层肖特基电极制备氧化物半导体肖特基二极管的方法，由下自上依次包括衬底、有源层、Pd/PdOX双层结构，Pd/PdOX双层结构由下自上依次包括Pd氧化物PdOx、金属Pd，包括步骤如下：(1)在衬底上生长欧姆电极；(2)生长有源层；(3)使用磁控溅射法在有源层上生成Pd/PdOX双层结构；(4)在低温条件下退火。本发明可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的半导体薄膜材料，通过控制溅射腔室气体氛围，可控制肖特基电极的氧化程度，调控界面氧浓度，该工艺可兼容多种柔性塑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110890280A
(43)申请公布日
2020.03.17
(21)申请号2
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