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本申请涉及一种电容器结构及半导体器件，包括半导体基底；位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；所述下电极具有侧壁、封闭的底部和开放的顶部，所述介电层包括位于所述下电极侧壁和底壁上的第一介电层，所述上电极包括位于所述第一介电层内侧的第一上电极，所述下电极、第一介电层和第一上电极构成第一电容；位于所述下电极顶部和所述第一介电层顶部之上的支撑物。本申请中的制造方法得到的圆筒形电容器及半导体器件，能够在保证深宽比的同时，有效改善制造方法中发生的下电极的倾斜和塌陷的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113540348A
(43)申请公布日2021.10.22
(21)申请号202010291690.6
(22)申请日2020.04.14
(71)申请人中国科学院微电子研究所
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