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半导体器件.pdfVIP

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  • 2024-02-07 发布于四川
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半导体器件.pdf

    本申请实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括依次层叠设置的绝缘衬底、第一栅极、第一栅绝缘层、牺牲层、流平层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极，流平层、牺牲层、第一栅绝缘层围绕形成有第一凹槽，第一凹槽的开口朝向第二栅绝缘层设置，第二栅绝缘层设置有第二凹槽，第二栅极设置于第二凹槽内，第一栅极关于一中心线呈对称设置，第二栅极关于该中心线呈对称设置；使第二栅极设置于第二凹槽内，通过第二凹槽对第二栅极进行定位，使得第一栅极与第二栅极关于同一中心线呈自身对称设置，实现第一栅极与第二栅极的自对准，缓解了现

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117525161A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202310643221.X

    (22)申请日2023.05.31

    (71)申请人武汉华星光电技术有限公司

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