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一种用于晶圆质子辐照的掩膜方法.pdf

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    本发明公开了一种用于晶圆质子辐照的掩膜方法包括：步骤1、确定晶圆辐照区域；步骤2、确定晶圆待掩盖区域；步骤3、根据辐照时选择的加速器引出能量计算待掩盖区域所需掩膜厚度；步骤4、选取合适厚度的掩膜，将其裁切成与待掩盖区域相等的形状及大小；步骤5、将掩膜的边缘与非辐照面的晶圆进行固定，再将固定后的掩膜和晶圆一同放置于待辐照的腔体内，进行辐照工艺。本发明在晶圆辐照前将一定厚度的掩膜制成与无需辐照区域面积大小相等的图形，并将掩膜的边缘与非辐照面的晶圆进行固定，最后进行辐照工艺，辐照后，晶圆被掩膜遮挡区域

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117524859A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311562388.X

    (22)申请日2023.11.21

    (71)申请人国电投核力创芯(无锡)科技有限公

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