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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构，栅极结构沿第一方向延伸；位于衬底上的第一介质层，第一介质层覆盖栅极结构，且暴露出栅极结构的顶部表面；隔离开口，沿第二方向贯穿栅极结构，第一方向与第二方向垂直，隔离开口包括位于栅极结构内的第一隔离开口、以及位于第一介质层内的第二隔离开口；位于第二隔离开口内的第二介质层；位于第一隔离开口内的隔离结构。由于第一隔离开口仅位于栅极结构内，使得隔离结构也仅位于栅极结构内。进而使得后续形成在第一介质层和第二介质层内的导电层与隔离结构之间相

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117524873A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202210910226.X

    (22)申请日2022.07.29

    (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

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