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本申请公开了一种半导体结构及其测试方法，该半导体结构用于形成多个器件和测试结构，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；体区，为第一掺杂类型，位于外延层上；沟槽，由体区表面延伸至外延层内；隔离层，至少覆盖沟槽的部分表面；以及掺杂区，填充在沟槽内，掺杂区与外延层为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，其中，在测试结构中，沟槽在体区内限定出体区岛，掺杂区和外延层被隔离层分隔以形成第一电容，掺杂区与体区岛被隔离层分隔以形成第二电容。该测试方法可以在同一半导体结构中检测
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109920778A
(43)申请公布日
2019.06.21
(21)申请号20191
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