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本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。本文提供了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括：栅极层叠体，其包括交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电层，其中，多个导电层当中的最上的导电层对应于背栅线，并且多个导电层中的其余导电层对应于字线；以及垂直沟道结构，其穿过栅极层叠体。垂直沟道结构的穿过多个层间绝缘层和与字线相对应的多个导电层的第一部位在平面图中具有圆形结构，并且垂直沟道结构的穿过与背栅线相对应的导电层的第二部位在平面图具有彼此分离的一对半圆形结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529109A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310347208.XH10B63/00(2023.01)
(22)申请日2023.04.
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