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一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成初始沟道结构，初始沟道结构包括若干重叠的沟道层以及牺牲层；形成横跨初始沟道结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧形成源漏开口，牺牲层侧壁相对于沟道层侧壁凹陷，成为内部间隔凹槽；在牺牲层侧壁表面形成内部间隔层，内部间隔层包括位于牺牲层表面的第一内部间隔结构以及第二内部间隔结构，第一内部间隔结构的材料与第二内部间隔结构的材料不同；去除第二内部间隔结构；在沟道层两侧形成源漏外延层、以及位于源漏外延层和第一内部间隔结构之间的间隙结构。所述半导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525131A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202210894062.6
(22)申请日2022.07.27
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限
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