一种提高半导体电容器容量的方法、电容器、半导体设备.pdfVIP

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2024-02-07 发布于四川
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一种提高半导体电容器容量的方法、电容器、半导体设备.pdf

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本发明公开了一种提高半导体电容器容量的方法、电容器、半导体设备。提高半导体电容器容量的方法包括对电容器进行LAL揭开‑剥离工艺处理后，去除电容器上的SiN类膜质以降低膜质的厚度，用以增大电容器容量。通过降低电容器上的SIN系列膜层的厚度，消除了结构倾斜现象，提高了电容器的容量，获得的电容器高度低于现有的电容器高度。本发明仅在现有的制备工艺过程中增加一个气体清除步骤，就可以消除结构倾斜现象，进而提高容量Cs值，在不增加电容器高度的情况下就能达到增加电容器容量的目的，提高电容器性能。本发明的提高半导

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117524868A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202210908471.7

(22)申请日2022.07.29

(71)申请人成都高真科技有限公司

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