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本发明涉及微机电系统和集成电路技术领域，特别是关于一种单芯片集成式三轴力传感器及其制备方法。集成式三轴力传感器由三轴力传感器和电路系统组成，三轴力传感器由应变体、位于应变体中央的受力体、支撑应变体和受力体的框架、以及嵌入于应变体中的力敏电阻组成，能同时检测法向力与剪切力；电路系统实现三轴力传感器信号的高信噪比检测。所述集成式三轴力传感器使用SOICMOS或者体硅CMOS工艺，以及post‑MEMS工艺把三轴力传感器和电路系统制备在一个芯片上，可显著提高三轴力传感器的信噪比，实现三轴力高分辨率、
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117516786A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311423046.X
(22)申请日2023.10.30
(71)申请人北京大学
地址100871
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