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本文的实施方式大致上针对在半导体器件中形成高深宽比金属接触件和/或互连特征(例如，钨特征)的方法。通常，在高深宽比开口中进行钨的共形沉积在从开口的一个或多个壁向外生长的钨相遇的位置处造成接缝和/或空隙。因此，本文阐述的方法提供期望的自下而上的钨块体填充，以避免在所得互连特征中形成接缝和/或空隙，并且提供改善的接触金属结构及形成该结构的方法。在一些实施方式中，改善的覆盖层或覆盖层结构形成在基板的场区域上方，以使得能够形成与以传统方式形成的接触件或互连结构相比具有改进的特性的接触件或互连结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529797A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202280043388.6(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理
(22)申请日2022.04.
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