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本发明公开了一种超级闪存包括：第一栅极沟槽，形成于源区顶部，浮栅和控制栅形成于第一栅极沟槽中。在浮栅的第一侧面和第一栅极沟槽的侧面以及底部表面之间形成有第一氧化层以及第二氮氧化层。在浮栅的第二侧面和控制栅的侧面之间形成有第三氮氧化层和第四氧化层。浮栅采用TiN层；浮栅的顶端高于控制栅的顶部表面。第二氮氧化层和第三氮氧化层防止氧扩散到浮栅中，使浮栅的TiN层为连续结构，擦除时，存储电荷能从浮栅的底部向顶部移动并引出；进入到浮栅中的氧使浮栅的TiN层呈纳米晶体结构，以增加浮栅对存储电荷的捕获能力。本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529106A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202210889893.4
(22)申请日2022.07.27
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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