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本申请提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，包括：在GaAs衬底上依次沉积蚀刻停止层、n型GaAs层和空间层；沉积量子阱层、p型InAlP空间层、窗口层、沉积电极层，得到第一晶圆结构；剥离第一晶圆结构并退火，得到第二晶圆结构；将第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上；去除衬底，去除蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；湿法腐蚀或干法刻蚀得到第四晶圆结构；沉积底部电极层；电镀铜Cu基底，低温退火操作。该方法通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，实现欧姆接触的退火温度下降，这有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542929A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311365113.7
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人山东省科学院激光研究所
地址2
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