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本公开提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于衬底上；第一漂移区，为第二掺杂类型，位于外延层中，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；场氧化层，至少部分位于第一漂移区上方，场氧化层的边缘为鸟嘴，其中，位于场氧化层下方的第一漂移区的掺杂浓度大于鸟嘴处的第一漂移区的掺杂浓度。本公开在形成场氧化层之前形成第一漂移区，以实现第一漂移区具备位于场氧化层下方的掺杂浓度大于鸟嘴处的掺杂浓度的浓度分布，可以显著降低横向扩散金属氧化物半导体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542889A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311413777.6
(22)申请日2023.10.27
(71)申请人杭州士兰微电子股份有限公司
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