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1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法.pdfVIP

1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法.pdf

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    本发明公开了一种1.5TSONOS闪存器件的接触孔连接方法，在半导体基板上规划出多个有源区，所述的有源区呈多个互相平行的条形；在所述的多个有源区上方，还具有多个互相平行且与有源区垂直的多晶硅线，所述多晶硅线与其下方的半导体基板之间还分别形成有多个接触孔，所述多个接触孔避开有源区，位于有源区之间的区域；所述接触孔的尺寸大于多晶硅线的宽度，所述的多个平行多晶硅线在接触孔区域其宽度变大，以满足接触孔的落孔尺寸要求；每间隔一定数量的节点，在有源区之间设置一个多晶硅线的接触孔的集中接触区，通过将相邻的多

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111883478A

    (43)申请公布日2020.11.03

    (21)申请号202010620711.4

    (22)申请日2020.07.01

    (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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