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一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法.pdfVIP

一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法.pdf

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    本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109399554A

    (43)申请公布日

    2019.03.01

    (21)申请号20181

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