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本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法和应用，所述半导体外延结构包括依次设置的衬底、掩膜结构和氮化物外延层；所述掩膜结构包括由掩膜结构单元组成的阵列，掩膜结构单元包括第一掩膜单元和第二掩膜单元；相邻两个第一掩膜单元之间的间距L1大于相邻两个第二掩膜单元之间的间距L2；相邻两个第一掩膜单元之间设有第一填充结构，第一填充结构的宽度＜L1；相邻两个第二掩膜单元之间设有第二填充结构。本发明通过掩膜结构的设计，能够有效实现位错的自我湮灭，降低穿透位错的分布，释放残余应力，使所述半导体外延结构具有优异的晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542934A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202210918067.8C30B29/38(2006.01)
(22)申请日2022.08.
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