1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法.pdfVIP

  • 40
  • 0
  • 约1.16万字
  • 约 12页
  • 2024-02-10 发布于四川
  • 举报

一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法.pdf

    本发明公开了一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法，包括步骤S1：样片清洗；步骤S2：芯层生长；步骤S3：PVD镀膜；步骤S4：掩膜层生长；步骤S5：掩膜层光刻；步骤S6：通过第一刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第一刻蚀工艺包括第一刻蚀气体、第一ICP功率和第一RF偏置功率；步骤S7：通过第二刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第二刻蚀工艺包括第二刻蚀气体、第二ICP功率和第二RF偏置功率；步骤S8：通过第三刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第三刻蚀工艺包括第三刻蚀气体、第三ICP功率和第三RF偏置功率。本发明公开的一种深层氧化硅刻蚀的

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117534031A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311573708.1

    (22)申请日2023.11.23

    (71)申请人浙江大学绍兴研究院

    地址312

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >