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一种半导体结构的形成方法。示例性方法包括在基板上方形成第一晶体管结构和第二晶体管结构，其中每个晶体管结构包括至少一片纳米片。该方法还包括在每个晶体管结构上方和每个纳米片周围沉积金属；在金属上沉积涂层；在涂层上沉积掩模；图案化掩模以定义图案化掩模，其中图案化掩模位于涂层遮蔽部分和第二晶体管结构的上方，并且其中图案化掩模不位于涂层的未遮蔽部分和第一晶体管结构上方。该方法进一步包括使用具有从30到60(mTorr)的工艺压力的干式蚀刻工艺蚀刻涂层的未遮蔽部分和第一晶体管结构上方的金属。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542796A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311241953.2
(22)申请日2023.09.25
(30)优先权数据
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