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2024-02-10 发布于四川
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本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包含第三掺杂元素，所述第三掺杂元素包括碳、氮和氧中的至少一种，所述掺杂多晶硅层中第三掺杂元素的浓度为1e18cm‑3～1e19cm‑3；所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖所述第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过所述钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542916A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202311674525.9H01L31/02(2006.01)

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