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半导体结构的制备方法.pdfVIP

半导体结构的制备方法.pdf

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    本申请涉及一种半导体结构的制备方法，通过于初始半导体结构包括的氧化层的上表面形成抗反射层以及图形化光刻胶层；在第一预设刻蚀气氛下基于抗反射层以及图形化光刻胶层刻蚀氧化层以形成开口，开口暴露出部分介质层的表面；其中，第一预设刻蚀气氛包括第一气体及第二气体，部分第一气体还用于与第一反应副产物产生化学反应，第一反应副产物为在第一预设刻蚀气氛下，刻蚀氧化层产生的聚合物；基于开口去除部分介质层以形成接触孔，接触孔暴露出导电层的表面。采用本方法能够提高芯片的可靠性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117542793A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311539010.8

    (22)申请日2023.11.17

    (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

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