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2024-02-10 发布于四川
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半导结构及半导体结构的制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构包括：多个位线堆叠结构，位线堆叠结构布置在衬底上。存储接触结构，存储接触结构设置在一对位线堆叠结构之间，存储接触结构的顶面低于位线堆叠结构的顶面。电容结构，电容结构的下电极的底面的一部分支撑在存储接触结构的顶面,下电极的底面的另一部分支撑在对应的位线堆叠结构的顶面。该半导体结构通过设置顶面具有高度差的存储接触结构和位线堆叠结构，下电极的底面的一部分与存储接触结构的顶面接触,下电极的底面的另一部分与位线堆叠结构的顶面接触，使得下电极向下延

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113675200A

(43)申请公布日2021.11.19

(21)申请号202110926800.6

(22)申请日2021.08.12

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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