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本发明提供了一种EPS系统中转向电机的半堵转保护方法，对每一个MOSFET都设置一个安全状态变量S，根据每个MOSFET实时的电流情况和MOSFET的环境温度值，通过一定的规则映射到每个MOSFET的安全状态变量S上，通过对此安全状态变量S进行判断，决定是否开启保护以及设定保护程度的大小。本发明根据每个MOSFET的安全状态变量S的变化判断系统是否开启降容保护并动态改变降容比，提升了发生半堵转后EPS转向系统自保护的实时性和可靠性；降容比的动态变化实现了在降容保护策略下，转向手感平滑细腻，无手感
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117544066A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202410026384.8H02P29/68(2016.01)
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