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本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法，压电衬底结构包括：基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层；所述键合反应层为不连续的金属氧化物层；所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置；所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间；或者，位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间；或者，位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度，使得键合强度大于1.5J/m2；还有利于提升波的反射，制备所得的声表面波滤波器，声波损失率小于0.005%，有助于提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117545337A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202410026551.9
(22)申请日2024.01.09
(71)申请人北京青禾晶元半导
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