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2024-02-10 发布于四川
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沟槽栅半导体器件及制造方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，器件单元包括：沟槽栅，源极沟槽，位于源极沟槽和沟槽栅之间的第一导电类型掺杂的第一半导体外延层为平台区。沟道区形成于平台区中，源区形成于沟道区的表面区域中。沟槽栅的栅极沟槽纵向穿过沟道区。在源极沟槽中填充有源极引出金属。在源极沟槽的底部区域自对准形成有第二导电类型重掺杂的底部掺杂区，底部掺杂区将源极引出金属的底部包覆并形成欧姆接触，源极引出金属的侧面接触沟道区和源区。在纵向上，栅极沟槽的底部表面位于底部掺杂区的深度范围内，底部掺杂区对沟槽栅的底部区域形成电场屏蔽结

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542890A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202311425834.2H01L29/417(2006.01)

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