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本发明提供一种等离子沉积刻蚀溅镀系统。真空镀膜室用于等离子沉积溅镀反应，其包括第一端和第二端，离子经第一端进入真空镀膜室；所述真空镀膜室的内部设置有工作台，用于置放待处理芯片，位于第二端；安装架环绕真空镀膜室的外周壁设置，其上设置有磁性元件安装位多个磁性元件，排列安装在所述安装架的磁性元件安装位上，每个磁性元件的磁极排列方向相同；驱动机构与所述安装架连接，以驱动所述安装架沿着真空镀膜室的外周壁转动。在等离子沈积溅镀设备的真空镀膜室外设置旋转磁场，使用磁场旋转控制电流方向原理,相比将旋转磁场设置在
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220468118U
(45)授权公告日2024.02.09
(21)申请号202322125728.4
(22)申请日2023.08.08
(73)专利权人物元半导体技术（青岛）有限公司
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