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本申请提供了一种沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法，该沟槽型碳化硅功率器件包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上；第二外延层，位于第一外延层的表面上；第三外延层，位于第二外延层的表面上，第三外延层与第二外延层的掺杂类型相同且不同于第一外延层，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层；沟槽，至少贯穿第二外延层和第三外延层，沟槽具有第一侧壁、第二侧壁和第一底部；第一注入区，位于沟槽下方且与沟槽接触，第一注入区与第一外延层的掺杂类型不同；源区，位于第三外延层中；源极金属层，位于第三外延层的一侧；漏极金属层，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542893A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311594340.7H01L29/423(2006.01)
(22)申请日2023.11
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