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本发明涉及一种背照式微结构阵列宽光谱成像探测器及其制备方法。探测器包括由上至下叠置的顶端共用电极、p型微结构阵列基片和图形化底电极，顶端共用电极沉积于p型微结构阵列基片上部；p型微结构阵列基片与图形化底电极之间依次镀制p型红外光吸收材料、n型电子输运窗口材料和n型高阻半导体材料。制备方法包括：制备p型微结构阵列基片：制备p型微结构阵列基片与图形化底电极之间的中间层；制备图形化底电极；制备顶端共用电极。本发明提升了可见‑红外入射光的利用率，垂直集成器件结构实现了可见‑红外光信号的同时采集，拓宽了单
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115425146A
(43)申请公布日2022.12.02
(21)申请号202211081639.8
(22)申请日2022.09.06
(71)申请人西安工业大学
地址710032
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