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镧锰氧化物和硅异质结的制备及电学性能研究的中期报告

本研究旨在制备镧锰氧化物和硅异质结，并研究其电学性能。本中期报告主要包括以下三个部分：制备方法、材料表征和电学性能测试。

制备方法：

镧锰氧化物通过溶胶-凝胶法制备，硅异质结则通过分子束外延法制备。具体步骤如下：

1.制备镧锰氧化物：将La(NO3)3和Mn(NO3)2.4H2O按1：1的摩尔比例混合在乙醇中，搅拌到完全溶解，并加入适量的乙酸与乙二醇混合物，然后保持搅拌5小时使其完全反应形成溶胶。将溶胶在80℃下干燥12小时，并在600℃下煅烧4小时，最后得到La0.8Mn0.2O3粉末。

2.制备硅异质结：将Si衬底加热到1200℃，然后使用分子束外延系统在衬底表面沉积Si和SiGe薄膜，其中SiGe的Ge含量为20%。

材料表征：

对制备的镧锰氧化物和硅异质结进行了材料表征，主要包括X射线衍射和扫描电子显微镜分析。

1.X射线衍射：对La0.8Mn0.2O3粉末进行了X射线衍射分析，结果显示其晶体结构为单斜晶系，且晶体尺寸约为40~60nm。

2.扫描电子显微镜：对Si衬底和沉积在其表面的SiGe薄膜进行了扫描电子显微镜分析，结果显示薄膜的厚度在200~300nm之间，表面形貌比较平整。

电学性能测试：

使用场效应晶体管测试系统对制备的硅异质结进行了电学性能测试，主要测试了其电流-电压特性、载流子迁移率和截止频率。

1.电流-电压特性：测试结果显示，硅异质结具有较好的整流特性，其正向导通电压约为0.6V，反向漏电流约为10nA。

2.载流子迁移率：测试结果显示，硅异质结在室温下的载流子迁移率约为300cm2/Vs，表现出良好的电学性能。

3.截止频率：测试结果显示，硅异质结的截止频率约为400GHz，表现出较高的高频特性。

综上，本中期报告介绍了镧锰氧化物和硅异质结的制备方法、材料表征和电学性能测试结果，为这一领域的深入研究提供了参考。