电子电力实验报告 电力电子器件GTR、MOSFET及其驱动电路.docxVIP

电力晶体管（GTR）驱动电路研究

一、实验目的

1．掌握GTR对基极驱动电路的要求

2．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法

二、实验内容

1．连接实验线路组成一个实用驱动电路

2．PWM波形发生器频率与占空比测试

3．光耦合器输入、输出延时时间与电流传输比测试

4．贝克箝位电路性能测试

5．过流保护电路性能测试

三、实验线路

见图。

实验设备和仪器

1．NMCL-07电力电子实验箱

2．双踪示波器（导线架上有大小头转换线）

3．万用表（自备）

4．教学实验台主控制屏

五、实验方法

1．检查面板上所有开关是否均置于断开位置

2.PWM波形发生器频率与占空比测试

（1）开关S1、S2打向“通”，将脉冲占空比调节电位器RP顺时针旋到底，用示波器观察1和2点间的PWM波形，即可测量脉冲宽度、幅度与脉冲周期，并计算出频率f与占空比ρ，填入下表。

幅度（Vp-p）

宽度（ms）

周期（ms）

频率f（kHz）

占空比ρ

S2:通

RP:右旋

3.64

1.172

1.200

0.825

97.652%

S2:通

RP:左旋

3.64

0.152

1.190

0.841

12.773%

S2:断

RP:右旋

3.64

0.107

0.110

9.24

97.273%

S2:断

RP:左旋

3.64

0.021

0.106

9.35

19.811%

将电位器RP左旋到底，测出f与ρ，填入表2-1。

将开关S2打向“断”，测出这时的f与ρ，填入表2-1。

电位器RP顺时针旋到底，测出这时的f与ρ，填入表2-1。

将S2打在“断”位置，然后调节RP，使占空比ρ=0.2左右。

3．光耦合器特性测试

（1）输入电阻为时的开门，关门延时时间测试；

表2-2

td

tf

ton

ts

tr

toff

2.4μs

18μs

10μs

8μs

7.6μs

26μs

输入电阻为时的开门，关门延时时间测试

表2-3

td

tf

ton

ts

tr

toff

700ns

19.2μs

2.7μs

20.4μs

2μs

39.6μs

输入加速电容对开门、关门延时时间影响的测试

表2-4接有加速电容

td

tf

ton

ts

tr

toff

400ns

20μs

2.1μs

4.8μs

1.7μs

24.8μs

4．驱动电路输入，输出延时时间测试

用双踪示波器观察GTR单元输入“1”与“6”及驱动电路输出“14”与“11”之间波形，记录驱动电路的输入，输出延时时间。

5．贝克箝位电路性能测试

（1）不加贝克箝位电路时的GTR存贮时间测试。

用双踪示波器观察基极驱动信号ub（“19”与“18”之间）及集电极电流ic（“22”与“18”之间）波形，记录存贮时间ts。

（2）加上贝克箝位电路后的GTR存贮时间测试

在上述条件下，将20与14相连，观察与记录ts的变化。

实验结果与分析

PWM波形：

PWM波形如图1所示

（1）S2在“通”时：

频率f：约820Hz

最大占空比：96.880%

最小占空比：11.386%

（2）S2在“断”时：

频率f：约9.3kHz

最大占空比：96.546%

图SEQ图\*ARABIC

图SEQ图\*ARABIC1

2．光耦合器特性测试

（1）电阻时，实验结果如图2所示

图SEQ图\*ARABIC2

（2）电阻时，实验结果如图2所示

图SEQ图\*ARABIC3

（3）输入加速电容的实验结果，如图4所示

图

图SEQ图\*ARABIC4

3.驱动电路输入

（1）不加贝克箝位电路时的GTR波形，如图5所示

图SEQ图\*ARABIC5

（2）加贝克箝位电路时的GTR波形，如图6所示

图SEQ图\*ARABIC6

思考题：

波形发生器中，试对所测的、、与理论值作一比较，能否分析一下两者相差的原因？

高电平，充电时间

低电平，放电时间

频率

占空比

经过计算得到：

S2断开时，f=15609HZ，Dmax=27.8%，Dmin=3.8%；

S2合上时，f=1419HZ，Dmax=27.8%，Dmin=3.8%；

两者相差的原因可能是：

1、电容电阻值有1%-5%的误差，这些误差会导致不同。

2、示波器本身也有测量的误差，人眼的读数也会有误差。

3、公式本身就是理想状态，555定时器在计算时未考虑二极管的导通压降。

实验中的光耦为TLP521，试对实测的开门、关门延时时间与该器件的典型延时时间作一比较，能否分析一下两者相差的原因。

TLP521开关特性参数：

经过数据比较得到，实验实际测得的开启、关断、存储时间均比元器件的典型时间要长。实际测得时间较理论值长可能是因为电路中由于外围电路的影响，