一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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2024-02-14 发布于四川
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一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P型阱区和源极N型区依次设于衬底上；栅极贯穿P型阱区和源极N型区并嵌于N型外延层；N型电流通道、P型掩蔽层以及P型接地区设于N型外延层靠近P型阱区的一侧，且被N型外延层包裹；P型掩蔽层和N型电流通道的组合包裹栅极的槽角；N型电流通道与P型掩蔽层接触；P型接地区位于第二截面区内，N型电流通道和/或P型掩蔽层沿第一方向与多个P型接地区接触。由此，在栅极沟槽下方构造包括P型掩蔽层和P型接地区的深掩

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117558761A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202410041730.X

(22)申请日2024.01.10

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址4300

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