GB/T 13539.4-2016低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

ICS29.120.50

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道望

圭K

中华人民

和国国家标准

J，、

GB/T13539.4-2016/IEC60269-4:2012

代替GB/T13539.4-2009

低压熔断器

部分：半导体设备保护用熔断体

第4

的补充要求

Low-voltagefuses一

Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionof

semiconductordevices

(IEC60269-4:2012,IDT)

2016-11-01实施

2016-04-25发布

中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T13539.4-2016月EC60269-4:2012

目次

前言“………I

1总则……·

熔断分类特正常川术语作条定义器·工和

。

2345

”件uτadτaAAnh

性

6标志………………7

7设计的标准条件··

8试验“…

附录AAC资料性附录〉熔断体和半导体设备的配合导则…18

附录BB（规范性附录）制造厂应在产品使用说明书〈样本）中列出的半导体设备保护用熔断体

的资料…………·…22

附录cc（规范性附录〉半导体设备保护用标准化熔断体示例…23

参考文献”………..39

GB/T13539.4一2016/IEC60269-4:2012

前言

GB13539《低压熔断器》目前包括以下6个部分：

第1部分z基本要求；

第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示

例A至K;

第3部分z非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途