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本发明涉及一种偏压耦合微波等离子体的金刚石生长调控装置，通过优化微波等离子体化学气相沉积，克服了传统技术沉积速率低的缺陷。该装置包括化学气相沉积系统、偏压调控系统和等离子体诊断系统。偏压调控系统通过调压装置、反馈电路和控制单元协同工作，实现对偏压强度的动态调节，确保金刚石生长过程中不同阶段的需求。调压装置能够适应不同生长工艺和要求，允许实时监测和调整偏压强度，确保在不同生长条件下维持最佳参数范围。此外，调压装置还包含实时监测和反馈系统，迅速响应反馈信号，实现偏压强度的即时调整，确保金刚石的生长在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117551979A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311600878.4C30B29/04(2006.01)
(22)申请日2023.11.
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