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- 2024-02-14 发布于四川
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本发明公开了一种基于动态电荷的功率器件瞬态分析模型建模方法，通过建立GaN‑HEMT的精确开关分析模型，并考虑电路的寄生电感、非线性电容和GaN‑HEMTs独特的反向特性，相比其他开关分析模型，本方法基于数据表中的电荷平衡关系和电荷相关曲线信息，提出了半桥GaNHEMT的开关瞬态分析模型，避免了其他方法由于数据表中可用的动态测量数据不足及其强烈的非线性电容特性造成的不准确。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117556598A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311431737.4
(22)申请日2023.10.31
(71)申请人北京航空航天大学
地址1001
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