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本公开涉及沟槽超级结功率MOSFET的端子设计。多个沟槽条并行安置于漏极上的外延层中并且从半导体的第一表面的顶部区延伸至底部区。第一多晶硅层在所述沟槽条中的每个沟槽条中。所述第一多晶硅层在所述漏极与接近所述顶部区和所述底部区的所述第一表面之间延伸，并且在所述漏极与在所述顶部区与所述底部区之间的中间区中的第一表面下方的水平面之间延伸。第二多晶硅层在所述中间区中的所述第一多晶硅层上方，其中所述第一多晶硅层形成屏蔽件，并且所述第二多晶硅层形成栅极。源极在围绕所述第一沟槽条的硅台面条中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109768084A
(43)申请公布日
2019.05.17
(21)申请号20181
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