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本发明涉及一种用于导模法生长氧化镓晶体的方法及“V”型模具，模具放置在坩埚中，坩埚中装入氧化镓原料，盖上坩埚盖后将坩埚放在加热器中，将（2(—)01）面籽晶放置在籽晶杆中，籽晶杆提拉方向为[010]；抽真空，充二氧化碳保护气至常压；进行炉体升温，化料，保温；引晶，将籽晶降至模具上端面，回熔，保温；放肩，氧化镓晶体放肩过程中，该模具减小了模具上端面中心和边缘的温度差异，直至晶体覆盖住整个模具上表面；等径；升温，将氧化镓晶体拉脱，然后降温，即得到（2(—)01）面氧化镓晶体。本模具结构更加合理，可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117552090A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311314630.1C30B15/14(2006.01)
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