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一种含S空位MoS2压电材料及其制备方法和应用.pdfVIP

一种含S空位MoS2压电材料及其制备方法和应用.pdf

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    本发明公开了一种含S空位MoS2压电材料及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：将钼源和硫源溶解在去离子水中，并调节溶液pH至0.5～1.5，得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液放入高压反应釜内进行水热反应，温度为180～220℃，加热时间为18～32h；待高压反应釜冷却至室温后，对高压反应釜内的溶液进行固液分离、洗涤、干燥，得到含S空位MoS2压电材料。本发明采用水热法合成MoS2催化剂，通过改变反应条件可以实现对MoS2催化剂中S空位含量的调控，适量S空位的存在可以增强MoS2的压电电位，抑制电

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117548128A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311458344.2C02F1/30(2023.01)

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