GB/T 14139-2019硅外延片.pdf

ICS29.045

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道B

中华人民共和国国家标准

GB/T14139-2019

代替Gl3/T1111392009

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T14139-2019

刚吕

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替。B/T1..!.1392009《硅外延片》。本标准与GB／~141392009相比．除编辑性修班外

主要技术变化如下：

修改了适用也罔．将··本标准适用于在N型砖抛）＼＇.；片材！舷上生长的n型外延居（Nr、I）和l在Ep

咐硅抛光片衬j艇上生氏的p）｛~外延层（P/P＂）的问质｛庄外延片。产品主要川于制作碰半导体

器件。其他类峭的硅外延片可参照适用。”改为··本标准边用于在4径不大于150mm的N型

和P型础抛光片衬j良｜二牛长的随外延片”（见第1JVt:.2009年版的第l章〉．

一一规范性引用文件中删除了GB/T12962、GB/THHS、YS/T24，响力u了GB/T1S50、

GB/Tl555、Gl3/T14844、Gl:VT19921、Gl:3/T24578、YS/T28、SEMIM85（见第2l立.2009

年版的第2！注〉。

一一增加了··术话和定义”〈见第3草）。

将产品的牌号和分类单列一革·．井，修订了牌号炭示方法和外延隘的品向（见第4：革..2009年版

的3.1)。

修订了外延片用衬底材料的要求（见5.1.2009年版的3.2)0

附加了夕｜、延层的导电类型、I罪tI问的要求、试验方法、检验规则等（J!l5.2.l、5.2.2、6.1、6.2、第7

卒h

外延时电l组率白巾心电阻率修订为平均屯阻率．井修订f电阻率、电阻率允许偏lU运径向电阻

率变化的要求（见5.2.3.2009年版的3.3）。

-外延层厚度rlr巾心厚度修订为平均厚度，并修订了厚度、厚度允i!J：偏差及轮向厚度变化的要求

（见5.2.l.2009{f.J圾的3.4).

一一增加了外延层纵向电阻积分布及过渡1x：宽度的些求、试验方法、检验规则等（兑5.2.5、6.5、第7

市〉。

一一修改了外延j刮报销密度的要求．山··不大于500个／cm2”修订为··由不大子50en户”（见5.2.6.

2009年版的3.5.门。

增加了哀而金属的要求、试验方法及检验现贝lj（兑5.2.7、6.7、第71.在〉．

一一删除了大点缺陷的要求（见2009年版的3.6