(5)--M1-1_1.1.3 PN结(1)-PN结的形成模拟电子技术.pdfVIP

第1章常用半导体器件1.1半导体基础知识

1.1.3PN结（1）

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

【回顾】

P型半导体？

N型半导体？

【新问题】把一

块P型半导体和

一块N型半导体

接触在一起，会

发生什么？

P型半导体N型半导体

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

当把一块P型半导体和一块N型

半导体接触在一起时

lP区的多子空穴向N区扩散，

N区的多子电子向P区扩散，

形成多子的扩散运动

l扩散运动使靠近接触面P区的

空穴浓度降低（空间呈负电

荷）、靠近接触面N区的自由

电子浓度降低（空间呈正电

荷），产生内电场

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

l内电场一方面抑制扩散运动的进行，

另一方面使P区的少子电子从P区向

N区运动、使N区的少子空穴从N

区向P区运动，称为漂移运动。

l当参与扩散运动和漂移运动的载流

子数目相同时，达到动态平衡，形

成了一个稳定的空间区域：P区呈

负电荷、N区呈正电荷，称为空间

电荷区，或者PN结。

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

l耗尽层近似：在空间电荷区

内，忽略载流子的电荷作用，

只考虑固定离子的电荷。PN结

或者空间电荷区又称为耗尽层。

l势垒：从P区到N区，跨过空

间电荷区时，由于内电场的存

在，会升高一个电位差U（势

ho

垒电压、或势垒电位差）。

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

可否将PN

结当电池使

用，对外提

供电能？

1.1半导体基础知识1.1.3PN结

本讲小结